本研讨选用绝缘体上硅(Silicon‐On‐Insulator,SOI)技能刻蚀制造的芯片级腔光力加速度计作为试验的光机械体系。经过调理光纤耦合状况改动腔内光场模态体积,完成光机械耦合强度的可控性。验证强互锁状况下机械品质因数(Q值)的提高及体系底噪的限制作用。开发高灵敏度的腔光力加速度传感器,方针频段为千赫兹规模。
1、光学体系:激光源(作业波长1510nm)、光纤偏振控制器(FPC)、V型光纤锥(透射率90%)。光电探测器(PD)、电子频谱仪(ESA)、数据采集卡(DAQ)。
3、中心器材:硅基二维光子晶体谐振腔(尺度16μm×10μm,晶格常数510nm)。高压放大器(用于驱动压电陶瓷发生加速度信号)。
注:①激光源;②光纤跳线;③三环偏振控制器;④真空光纤法兰;⑤真空腔;⑥光电探测器;⑦频谱仪;⑧真空排针;⑨电压源;⑩波形发生器;⑪高压放大器;⑫射频跳线;⑬数据采集器;⑭核算机;⑮显微镜;⑯点光源;⑰真空计。
(2)监测自脉冲振动(1510.40–1511.06nm)与光机械自继续振动(1511.06–1511.86nm)的共存状况,自脉冲振动和光机械共振共存的过渡状况光学特性如图2所示。
(1)在强互锁形式下,施加6kHz沟通加速度鼓励,记载机械谱呼应。图3显现了强互锁形式下的光机械传感呼应,其间,黑线)表明停止状况下光机械传感器的功率谱密度,而6kHz处的蓝线)和红线)则表明在施加不同幅值的6kHz沟通加速度后的机械谱。
(2)经过频谱剖析核算灵敏度,并比照弱/强互锁状况的Q值与底噪差异,对其进行线kHz处加速度计的灵敏度为126.58mV/g如图4所示。
试验成果:1、Q值提高:强互锁状况下机械Q值较弱互锁状况提高约10倍。2、噪声按捺:体系底噪下降26dB。3、灵敏度:加速度传感器在6kHz下到达126.58mV/g的灵敏度。4、光机械确定:功完成低频(72.2kHz)光机械共振与自脉冲的互锁。
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